| Artikelnummer | JANS2N3019 |
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| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 80V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Leistung max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-5 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JANS1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 | Einzelheiten |
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JANS1N3595US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200MA DO35 | Einzelheiten |
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JANS1N4099-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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JANS1N4100-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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JANS1N4105UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA | Einzelheiten |
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JANS1N4109UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA | Einzelheiten |
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JANS1N4118UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA | Einzelheiten |
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JANS1N4120-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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JANS1N4125UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA | Einzelheiten |
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JANS1N4461 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL | Einzelheiten |
