APTMC120AM55CT1AG

APTMC120AM55CT1AG - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTMC120AM55CT1AG
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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USD 195.56/pcs
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APTMC120AM55CT1AG Descrizione dettagliata

Numero di parte APTMC120AM55CT1AG
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
Potenza - Max 250W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Peso -
Paese d'origine -

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