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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › APTMC120AM16CD3AG
APTMC120AM16CD3AG

APTMC120AM16CD3AG - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTMC120AM16CD3AG
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTMC120AM16CD3AG Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7 pcs
Prezzo di riferimento
USD 613.24/pcs
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APTMC120AM16CD3AG Descrizione dettagliata

Numero di parte APTMC120AM16CD3AG
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 131A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 5mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 1000V
Potenza - Max 625W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso D-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitore D3
Peso -
Paese d'origine -

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