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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGT75SK120TG
APTGT75SK120TG

APTGT75SK120TG - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGT75SK120TG
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 1200V 110A 357W SP4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGT75SK120TG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
APTGT75SK120TG.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
583 pcs
Prezzo di riferimento
USD 43.8601/pcs
Il nostro prezzo
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APTGT75SK120TG Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGT75SK120TG
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 110A
Potenza - Max 357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP4
Pacchetto dispositivo fornitore SP4
Peso -
Paese d'origine -

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