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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGLQ200H120G
APTGLQ200H120G

APTGLQ200H120G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGLQ200H120G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGLQ200H120G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
167 pcs
Prezzo di riferimento
USD 158.51/pcs
Il nostro prezzo
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APTGLQ200H120G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGLQ200H120G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 350A
Potenza - Max 1000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP6
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Peso -
Paese d'origine -

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