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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGLQ200H120G
APTGLQ200H120G

APTGLQ200H120G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGLQ200H120G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGLQ200H120G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
169 pcs
Prix ​​de référence
USD 158.51/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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APTGLQ200H120G Description détaillée

Numéro d'article APTGLQ200H120G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 350A
Puissance - Max 1000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6
Poids -
Pays d'origine -

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