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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › APT30GN60BDQ2G
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT30GN60BDQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 600V 63A 203W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT30GN60BDQ2G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
5216 pcs
Prezzo di riferimento
USD 4.918/pcs
Il nostro prezzo
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APT30GN60BDQ2G Descrizione dettagliata

Numero di parte APT30GN60BDQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 63A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Potenza - Max 203W
Cambiare energia 525µJ (on), 700µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 165nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 12ns/155ns
Condizione di test 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B]
Peso -
Paese d'origine -

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