| Numéro d'article | APT30GN60BDQ2G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 63A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Puissance - Max | 203W |
| Échange d'énergie | 525µJ (on), 700µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 165nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 12ns/155ns |
| Condition de test | 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Détails |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | Détails |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | Détails |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Détails |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Détails |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | Détails |
