| Numero di parte | APT13GP120KG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 41A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 13A |
| Potenza - Max | 250W |
| Cambiare energia | 114µJ (on), 165µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 55nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 9ns/28ns |
| Condizione di test | 600V, 13A, 5 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 [K] |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Dettagli |
|
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Dettagli |
 |
APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Dettagli |
|
APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Dettagli |
 |
APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Dettagli |
|
APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Dettagli |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Dettagli |
|
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Dettagli |
|
APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Dettagli |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Dettagli |
