| Numero di parte | 1N8147US |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | - |
| Canali unidirezionali | - |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
| Voltage - Breakdown (Min) | - |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
| Potenza - Peak Pulse | - |
| Protezione della linea di alimentazione | - |
| applicazioni | - |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | Dettagli |
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1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | Dettagli |
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1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | Dettagli |
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1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | Dettagli |
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1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | Dettagli |
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1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | Dettagli |
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1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | Dettagli |
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1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | Dettagli |
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1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | Dettagli |
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1N81 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
