MT44K64M18RB-107E IT:A TR - Micron Technology Inc.

Numero di parte: MT44K64M18RB-107E IT:A TR
fabbricante: Micron Technology Inc.
Breve descrizione: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 0/pcs
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Numero di parte	MT44K64M18RB-107E IT:A TR
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	DRAM
Dimensione della memoria	1.125Gb (64Mb x 18)
Frequenza di clock	933MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	8ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.28V ~ 1.42V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
MT44K64M18RB-083E:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Dettagli
MT44K64M18RB-083E:A TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG	Dettagli
MT44K64M18RB-083F:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Dettagli
MT44K64M18RB-083F:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Dettagli
MT44K64M18RB-093E:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ	Dettagli
MT44K64M18RB-093E:A TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA	Dettagli
MT44K64M18RB-093F:A	Micron Technology Inc.	RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA	Dettagli
MT44K64M18RB-093F:A TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA	Dettagli
MT44K64M18RB-107E IT:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ	Dettagli
MT44K64M18RB-107E IT:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ	Dettagli