MT44K64M18RB-107E IT:A TR - Micron Technology Inc.

Numéro d'article: MT44K64M18RB-107E IT:A TR
Fabricant: Micron Technology Inc.
Brève description: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie: Mémoire
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Numéro d'article	MT44K64M18RB-107E IT:A TR
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	DRAM
La technologie	DRAM
Taille mémoire	1.125Gb (64Mb x 18)
Fréquence d'horloge	933MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	8ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.28V ~ 1.42V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage	-
Paquet / cas	-
Package de périphérique fournisseur	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MT44K64M18RB-083E:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Détails
MT44K64M18RB-083E:A TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG	Détails
MT44K64M18RB-083F:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Détails
MT44K64M18RB-083F:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Détails
MT44K64M18RB-093E:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ	Détails
MT44K64M18RB-093E:A TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA	Détails
MT44K64M18RB-093F:A	Micron Technology Inc.	RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA	Détails
MT44K64M18RB-093F:A TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA	Détails
MT44K64M18RB-107E IT:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ	Détails
MT44K64M18RB-107E IT:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ	Détails