MT29E4T08EYHBBG9-3:B Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
MT29E4T08EYHBBG9-3:B |
| Stato parte |
Active |
| Tipo di memoria |
Non-Volatile |
| Formato di memoria |
FLASH |
| Tecnologia |
FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria |
4Tb (512G x 8) |
| Frequenza di clock |
333MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina |
- |
| Tempo di accesso |
- |
| Interfaccia di memoria |
Parallel |
| Tensione - Fornitura |
2.5 V ~ 3.6 V |
| temperatura di esercizio |
0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio |
- |
| Pacchetto / caso |
- |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
- |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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