MT29E4T08EYHBBG9-3:B Description détaillée
| Numéro d'article |
MT29E4T08EYHBBG9-3:B |
| État de la pièce |
Active |
| Type de mémoire |
Non-Volatile |
| Format de la mémoire |
FLASH |
| La technologie |
FLASH - NAND |
| Taille mémoire |
4Tb (512G x 8) |
| Fréquence d'horloge |
333MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page |
- |
| Temps d'accès |
- |
| Interface de mémoire |
Parallel |
| Tension - Alimentation |
2.5 V ~ 3.6 V |
| Température de fonctionnement |
0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage |
- |
| Paquet / cas |
- |
| Package de périphérique fournisseur |
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| Poids |
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| Pays d'origine |
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