MT29E1T208ECHBBJ4-3:B - Micron Technology Inc.

Numero di parte: MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
fabbricante: Micron Technology Inc.
Breve descrizione: IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica: MT29E1T208ECHBBJ4-3:B Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica: -
Categoria: Memoria
Tempo di consegna: 1 Day
Codice data: New
Quantità di stock: 30705 pcs
Prezzo di riferimento: USD 0/pcs
Il nostro prezzo: Invia per e-mail: [email protected]

Numero di parte	MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Dimensione della memoria	1.125Tb (144G x 8)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	2.5V ~ 3.6V
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ	Dettagli
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA	Dettagli
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA	Dettagli
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA	Dettagli
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA	Dettagli
MT29E1T08CUCCBH8-6:C	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ	Dettagli
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA	Dettagli
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA	Dettagli
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.125TBIT 132VBGA	Dettagli
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.125TBIT 132VBGA	Dettagli