MT29E1T208ECHBBJ4-3:B - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 30705 pcs
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Número de pieza	MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND
Tamaño de la memoria	1.125Tb (144G x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ	Detalles
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA	Detalles
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA	Detalles
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MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.125TBIT 132VBGA	Detalles
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.125TBIT 132VBGA	Detalles