ECF840AAACN-C1-Y3

ECF840AAACN-C1-Y3 - Micron Technology Inc.

Numero di parte
ECF840AAACN-C1-Y3
fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
IC DRAM 8G PARALLEL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Memoria
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1 Day
Codice data
New
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ECF840AAACN-C1-Y3 Descrizione dettagliata

Numero di parte ECF840AAACN-C1-Y3
Stato parte Obsolete
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR3
Dimensione della memoria 8Gb (512M x 16)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso -
Paese d'origine -

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