ECF840AAACN-C1-Y3

ECF840AAACN-C1-Y3 - Micron Technology Inc.

Numéro d'article
ECF840AAACN-C1-Y3
Fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
IC DRAM 8G PARALLEL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25442 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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ECF840AAACN-C1-Y3 Description détaillée

Numéro d'article ECF840AAACN-C1-Y3
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR3
Taille mémoire 8Gb (512M x 16)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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