MCCD2004-TP Descrizione dettagliata
Numero di parte |
MCCD2004-TP |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET |
Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
10 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
18.5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1955pF @ 10V |
Potenza - Max |
- |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
6-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore |
DFN2030-6 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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