MCCD2004-TP - Micro Commercial Co

Artikelnummer	MCCD2004-TP
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1955pF @ 10V
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket	DFN2030-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MCCD2004-TP	Micro Commercial Co	MOSFET 2N-CH 20V 10A	Einzelheiten
MCCD2004S	MCC	350 mW High Voltage Switching Diode 240 Volts	Einzelheiten
MCCD2005-TP	Micro Commercial Co	MOSFET 2N-CH 20V 8A	Einzelheiten
MCCD2007-TP	Micro Commercial Co	MOSFET 2N-CH 20V 7A	Einzelheiten