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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - RF › MA4AGBLP912
MA4AGBLP912

MA4AGBLP912 - M/A-Com Technology Solutions

Numero di parte
MA4AGBLP912
fabbricante
M/A-Com Technology Solutions
Breve descrizione
ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MA4AGBLP912 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
MA4AGBLP912.pdf
Categoria
Diodi - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 4.958/pcs
Il nostro prezzo
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MA4AGBLP912 Descrizione dettagliata

Numero di parte MA4AGBLP912
Stato parte Active
Tipo diodo PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max) 50V
Corrente - max 40mA
Capacità @ Vr, F 0.03pF @ 5V, 1MHz
Resistenza @ Se, F 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -65°C ~ 125°C (TJ)
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso -
Paese d'origine -

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