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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Diodes - RF › MA4AGBLP912
MA4AGBLP912

MA4AGBLP912 - M/A-Com Technology Solutions

Numéro d'article
MA4AGBLP912
Fabricant
M/A-Com Technology Solutions
Brève description
ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MA4AGBLP912 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
MA4AGBLP912.pdf
Catégorie
Diodes - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1500 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.958/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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MA4AGBLP912 Description détaillée

Numéro d'article MA4AGBLP912
État de la pièce Active
Type de diode PIN - Single
Tension - Peak Reverse (Max) 50V
Courant - Max 40mA
Capacitance @ Vr, F 0.03pF @ 5V, 1MHz
Résistance @ Si, F 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -65°C ~ 125°C (TJ)
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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