IXTP230N04T4M - IXYS

Numero di parte	IXTP230N04T4M
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	230A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 115A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220 Isolated Tab
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTP200N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 200A TO-220	Dettagli
IXTP200N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 200A TO-220	Dettagli
IXTP200N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 200A TO-220	Dettagli
IXTP20N65X	IXYS	MOSFET N-CH 650V 20A TO-220	Dettagli
IXTP20N65XM	IXYS	MOSFET N-CH 650V 9A TO-220	Dettagli
IXTP220N04T2	IXYS	MOSFET N-CH 40V 220A TO-220	Dettagli
IXTP220N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 220A TO-220	Dettagli
IXTP220N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 220A TO-220	Dettagli
IXTP230N04T4	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXTP230N04T4M	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli