IXTP230N04T4M - IXYS

Artikelnummer	IXTP230N04T4M
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	230A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 115A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220 Isolated Tab
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTP200N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 200A TO-220	Einzelheiten
IXTP200N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 200A TO-220	Einzelheiten
IXTP200N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 200A TO-220	Einzelheiten
IXTP20N65X	IXYS	MOSFET N-CH 650V 20A TO-220	Einzelheiten
IXTP20N65XM	IXYS	MOSFET N-CH 650V 9A TO-220	Einzelheiten
IXTP220N04T2	IXYS	MOSFET N-CH 40V 220A TO-220	Einzelheiten
IXTP220N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 220A TO-220	Einzelheiten
IXTP220N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 220A TO-220	Einzelheiten
IXTP230N04T4	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXTP230N04T4M	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten