IXTH8P50 - IXYS

Numero di parte	IXTH8P50
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXT-1-1N100S1	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Dettagli
IXT-1-1N100S1-TR	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Dettagli
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Dettagli
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Dettagli
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Dettagli
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Dettagli
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Dettagli
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	Dettagli
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	Dettagli
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli