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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › IXSN52N60AU1
IXSN52N60AU1

IXSN52N60AU1 - IXYS

Numero di parte
IXSN52N60AU1
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXSN52N60AU1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IXSN52N60AU1.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4457 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IXSN52N60AU1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXSN52N60AU1
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT PT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Potenza - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 40A
Corrente - Limite del collettore (max) 750µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Peso -
Paese d'origine -

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