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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › IXSN52N60AU1
IXSN52N60AU1

IXSN52N60AU1 - IXYS

Numéro d'article
IXSN52N60AU1
Fabricant
IXYS
Brève description
IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXSN52N60AU1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IXSN52N60AU1.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4283 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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IXSN52N60AU1 Description détaillée

Numéro d'article IXSN52N60AU1
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Puissance - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 40A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 750µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 4.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Poids -
Pays d'origine -

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