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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IXGM30N60
IXGM30N60

IXGM30N60 - IXYS

Numero di parte
IXGM30N60
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
POWER MOSFET TO-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXGM30N60 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
56430 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IXGM30N60 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXGM30N60
Stato parte Last Time Buy
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Potenza - Max 200W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 180nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 100ns/500ns
Condizione di test -
Tempo di recupero inverso (trr) 200ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-204AE
Pacchetto dispositivo fornitore TO-204AE
Peso -
Paese d'origine -

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