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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXGM30N60
IXGM30N60

IXGM30N60 - IXYS

Artikelnummer
IXGM30N60
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
POWER MOSFET TO-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXGM30N60 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
56430 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXGM30N60 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXGM30N60
Teilstatus Last Time Buy
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 100A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Leistung max 200W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 180nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 100ns/500ns
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 200ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-204AE
Lieferantengerätepaket TO-204AE
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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