| Numero di parte | IXZ-2510 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| genere | Digital |
| Asse | X (Pitch), Z (Yaw) |
| Intervallo ° / s | ±250, 500, 1000, 2000 |
| Sensibilità (LSB / (° / s)) | 16.4 ~ 131 |
| Sensibilità (mV / ° / s) | - |
| Larghezza di banda | 250Hz ~ 3.6kHz |
| Tipo di uscita | I²C, SPI |
| Tensione - Fornitura | 1.71 V ~ 3.6 V |
| Corrente - Fornitura | 2.8mA |
| Caratteristiche | Adjustable Bandwidth, Selectable Scale, Sleep Mode, Temperature Sensor |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Pacchetto / caso | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IXZ-2510 | TDK InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | Dettagli |
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IXZ210N50L | IXYS | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | Dettagli |
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IXZ210N50L2 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | Dettagli |
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IXZ2210N50L2 | IXYS | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | Dettagli |
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IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Dettagli |
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IXZ316N60 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Dettagli |
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IXZ318N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL | Dettagli |
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IXZ631DF12N100 | IXYS | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | Dettagli |
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IXZ631DF18N50 | IXYS | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | Dettagli |
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IXZH10N50L2A | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Dettagli |
