| Numéro d'article | IXZ-2510 |
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| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type | Digital |
| Axe | X (Pitch), Z (Yaw) |
| Plage ° / s | ±250, 500, 1000, 2000 |
| Sensibilité (LSB / (° / s)) | 16.4 ~ 131 |
| Sensibilité (mV / ° / s) | - |
| Bande passante | 250Hz ~ 3.6kHz |
| Le type de sortie | I²C, SPI |
| Tension - Alimentation | 1.71 V ~ 3.6 V |
| Offre actuelle | 2.8mA |
| Caractéristiques | Adjustable Bandwidth, Selectable Scale, Sleep Mode, Temperature Sensor |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquet / cas | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IXZ-2510 | TDK InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | Détails |
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IXZ210N50L | IXYS | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | Détails |
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IXZ210N50L2 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | Détails |
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IXZ2210N50L2 | IXYS | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | Détails |
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IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Détails |
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IXZ316N60 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Détails |
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IXZ318N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL | Détails |
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IXZ631DF12N100 | IXYS | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | Détails |
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IXZ631DF18N50 | IXYS | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | Détails |
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IXZH10N50L2A | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Détails |
