IS41C16100C-50TI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Numero di parte	IS41C16100C-50TI
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	DRAM - EDO
Dimensione della memoria	16Mb (1M x 16)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	85ns
Tempo di accesso	25ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	4.5V ~ 5.5V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	50/44-TSOP II
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IS41C16100-50KL	ISSI	IS41C16100-50KL ISSI SOJ-42 New Original Stocks	Dettagli
IS41C16100-50T	ISSI	IS41C16100-50T ISSI TSOP New Original Stocks	Dettagli
IS41C16100-60K	ISSI	IS41C16100-60K ISSI SOJ42 New Original Stocks	Dettagli
IS41C16100-60T	ISSI	IS41C16100-60T ISSI TSOP New Original Stocks	Dettagli
IS41C16100-60TI	ISSI	IS41C16100-60TI ISSI SOP New Original Stocks	Dettagli
IS41C16100C-50KLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ	Dettagli
IS41C16100C-50KLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ	Dettagli
IS41C16100C-50TI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	Dettagli
IS41C16100C-50TI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	Dettagli
IS41C16100C-50TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP	Dettagli