IS41C16100C-50TI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS41C16100C-50TI
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	DRAM - EDO
Speichergröße	16Mb (1M x 16)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	85ns
Zugriffszeit	25ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
Lieferantengerätepaket	50/44-TSOP II
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS41C16100-50KL	ISSI	IS41C16100-50KL ISSI SOJ-42 New Original Stocks	Einzelheiten
IS41C16100-50T	ISSI	IS41C16100-50T ISSI TSOP New Original Stocks	Einzelheiten
IS41C16100-60K	ISSI	IS41C16100-60K ISSI SOJ42 New Original Stocks	Einzelheiten
IS41C16100-60T	ISSI	IS41C16100-60T ISSI TSOP New Original Stocks	Einzelheiten
IS41C16100-60TI	ISSI	IS41C16100-60TI ISSI SOP New Original Stocks	Einzelheiten
IS41C16100C-50KLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ	Einzelheiten
IS41C16100C-50KLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ	Einzelheiten
IS41C16100C-50TI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	Einzelheiten
IS41C16100C-50TI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	Einzelheiten
IS41C16100C-50TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP	Einzelheiten