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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SPD03N60C3BTMA1
SPD03N60C3BTMA1

SPD03N60C3BTMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
SPD03N60C3BTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SPD03N60C3BTMA1 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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SPD03N60C3BTMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte SPD03N60C3BTMA1
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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