SPD03N60C3BTMA1

SPD03N60C3BTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
SPD03N60C3BTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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SPD03N60C3BTMA1 Description détaillée

Numéro d'article SPD03N60C3BTMA1
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 38W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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