SPB17N80C3ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	SPB17N80C3ATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	177nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	227W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SPB17N80C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK	Dettagli
	SPB17N80C3ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK	Dettagli