SPB17N80C3ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	SPB17N80C3ATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	177nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	227W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO263-3-2
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SPB17N80C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK	Einzelheiten
	SPB17N80C3ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK	Einzelheiten