IRFI4019HG-117P

IRFI4019HG-117P - Infineon Technologies

Numero di parte
IRFI4019HG-117P
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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IRFI4019HG-117P Descrizione dettagliata

Numero di parte IRFI4019HG-117P
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V
Potenza - Max 18W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-5 Full-Pak
Peso -
Paese d'origine -

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