IRFI4019HG-117P

IRFI4019HG-117P - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRFI4019HG-117P
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
New
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4206 pcs
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IRFI4019HG-117P Description détaillée

Numéro d'article IRFI4019HG-117P
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V
Puissance - Max 18W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
Package de périphérique fournisseur TO-220-5 Full-Pak
Poids -
Pays d'origine -

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