IRF3000PBF - Infineon Technologies

Numero di parte	IRF3000PBF
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 960mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRF300	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Dettagli
IRF3000	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC	Dettagli
IRF3000PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC	Dettagli
IRF3000TRPBF	IR	IRF3000TRPBF IR SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
IRF3007	IR	IRF3007 IR TO-220 New Original Stocks	Dettagli
IRF3007L	IR	IRF3007L IR TO-262 New Original Stocks	Dettagli
IRF3007PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB	Dettagli
IRF3007S	IR	IRF3007S IR D2-PAK New Original Stocks	Dettagli
IRF3007SPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK	Dettagli
IRF3007STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N CH 75V 62A D2PAK	Dettagli