IRF3000PBF - Infineon Technologies

Número de pieza	IRF3000PBF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 960mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IRF300	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Detalles
IRF3000	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC	Detalles
IRF3000PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC	Detalles
IRF3000TRPBF	IR	IRF3000TRPBF IR SOP-8 New Original Stocks	Detalles
IRF3007	IR	IRF3007 IR TO-220 New Original Stocks	Detalles
IRF3007L	IR	IRF3007L IR TO-262 New Original Stocks	Detalles
IRF3007PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB	Detalles
IRF3007S	IR	IRF3007S IR D2-PAK New Original Stocks	Detalles
IRF3007SPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK	Detalles
IRF3007STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N CH 75V 62A D2PAK	Detalles