IPN95R1K2P7ATMA1

IPN95R1K2P7ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPN95R1K2P7ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.6337/pcs
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IPN95R1K2P7ATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPN95R1K2P7ATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 950V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 478pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 7W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223
Pacchetto / caso TO-261-3
Peso -
Paese d'origine -

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