IPN95R1K2P7ATMA1

IPN95R1K2P7ATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPN95R1K2P7ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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259822 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.6337/pcs
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IPN95R1K2P7ATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPN95R1K2P7ATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 950V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 140µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 478pF @ 400V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 7W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223
Paquet / cas TO-261-3
Poids -
Pays d'origine -

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