IPN95R1K2P7ATMA1 Description détaillée
Numéro d'article |
IPN95R1K2P7ATMA1 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
950V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
6A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.2 Ohm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 140µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
15nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
478pF @ 400V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
7W (Tc) |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
PG-SOT223 |
Paquet / cas |
TO-261-3 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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