IPG16N10S461ATMA1

IPG16N10S461ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPG16N10S461ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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IPG16N10S461ATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPG16N10S461ATMA1
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Potenza - Max 29W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4
Peso -
Paese d'origine -

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