IPG16N10S461ATMA1

IPG16N10S461ATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPG16N10S461ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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IPG16N10S461ATMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
New
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79310 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3283/pcs
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IPG16N10S461ATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPG16N10S461ATMA1
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 9µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Puissance - Max 29W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8-4
Poids -
Pays d'origine -

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