IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPD060N03LGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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IPD060N03LGATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPD060N03LGATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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