IPD060N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPD060N03LGATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: IPD060N03LGATMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: IPD060N03LGATMA1.pdf
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 81982 pcs
Precio de referencia: USD 0.3276/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	IPD060N03LGATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IPD060N03LG	INFINEON	IPD060N03LG INFINEON TO252 New Original Stocks	Detalles
IPD060N03LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Detalles
IPD060N03LGBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Detalles