IPB065N15N3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	IPB065N15N3GATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7300pF @ 75V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IPB065N03L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3	Dettagli
IPB065N03LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3	Dettagli
IPB065N06L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK	Dettagli
IPB065N10N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3	Dettagli
IPB065N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7	Dettagli
IPB065N15N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7	Dettagli
IPB065N15N3GE8187ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7	Dettagli