IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPB065N15N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPB065N15N3GATMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
44272 pcs
Precio de referencia
USD 3.71889/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPB065N15N3GATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 75V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IPB065N15N3GATMA1