IPA95R750P7XKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	IPA95R750P7XKSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	950V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 220µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	712pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	28W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IPA95R1K2P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 6A TO252	Dettagli
IPA95R450P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 14A TO252	Dettagli
IPA95R750P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 9A TO252	Dettagli